影響遺忘進(jìn)程的因素：

（1）識記材料的性質(zhì)與數(shù)量；

（2）學(xué)習(xí)的程度（過度學(xué)習(xí)：達(dá)到恰能成誦以后還繼續(xù)學(xué)習(xí)一段時間；

低度學(xué)習(xí)：對材料的識記沒有一次能達(dá)到無誤背誦的標(biāo)準(zhǔn)）；

（3）識記材料的系列位置；（*首因效應(yīng)：最先呈現(xiàn)的材料較易回憶，遺忘最少

近因效應(yīng)：最后呈現(xiàn)的材料最易回憶，遺忘最少

系列位置效應(yīng)：在回憶正確率上，最后呈現(xiàn)的材料　

遺忘最少，其次是最先呈現(xiàn)的材料，遺忘最多是中間部分。這種在回憶系列材料時發(fā)生的現(xiàn)象叫…）

（4）識記者的態(tài)度（識記者對識記材料的需要、興趣等，對遺忘的快慢也有一定影響）

（5）除了上述因素外，遺忘還受時間因素的影響。

信息存儲的條件和方法（1）組織有效的復(fù)習(xí)

A復(fù)習(xí)要及時

B正確分配復(fù)雜時間（**集中復(fù)習(xí)：連續(xù)進(jìn)行的復(fù)習(xí)；　分散復(fù)習(xí)：復(fù)習(xí)之間間隔一定的時間）

C閱讀與重現(xiàn)交替進(jìn)行

D注意排除前后材料的影響來源：考試大的美女編輯們

（2）利用外部注意手段

（3）注意腦的健康和用腦衛(wèi)生

內(nèi)隱記憶與外顯記憶的關(guān)系

（1）加工深度對內(nèi)、外影響不同（對外顯記憶影響明顯）；

（2）內(nèi)外的保持時間不同（內(nèi)保持時間較長）；

（3）記憶負(fù)荷量的變化對內(nèi)外產(chǎn)生不同的影響（影響外）；

（4）呈現(xiàn)方式的改變對內(nèi)外的影響不同（影響內(nèi)隱）；

（5）干擾因素對內(nèi)外的影響不同（對外影響顯著）。來源：考試大的美女編輯們

對內(nèi)隱記憶的研究不僅擴(kuò)充、豐富了記憶以研究的方法、技術(shù)和內(nèi)容，而且使我們對人類記憶本質(zhì)有了更加深入的認(rèn)識�？谧g筆記法：57常用速記符號

本文來自：逍遙右腦記憶 http://yy-art.cn/jiyi/xuekejiyi/51581.html

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