一. 教學(xué)內(nèi)容：電磁感應(yīng)、交流電

【典型例題】

例1. 人們利用發(fā)電機(jī)把天然存在的各種形式的能（水流能、風(fēng)能、煤等燃燒的能……）轉(zhuǎn)化為電能。為了合理的利用這些能源，發(fā)電站要修建在靠近這些天然資源的地方。但是，用電的地方往往很遠(yuǎn)。因此，需要高壓輸送線路把電能輸送到遠(yuǎn)方。如果，某發(fā)電站將U=6000V的電壓直接地加在高壓輸電線的入端，向遠(yuǎn)方供電，且輸送的電功率為P=800kW。則此時(shí)安裝在高壓輸送線路的入端和終端的電能表一晝夜讀數(shù)就相差△E=9600kW?h（1kW?h=1度電）。求：

（1）此種情況下，高壓線路的輸電和終端電壓。

（2）若要使此高壓輸電線路的輸電效率為98%，則在發(fā)電站處應(yīng)安裝一個(gè)變壓比（n1：n2）是多少的變壓器？

解析：

例2. 如圖甲所示，平行導(dǎo)軌MN、PQ水平放置，電阻不計(jì)。兩導(dǎo)軌間距d=1，導(dǎo)體棒ab、cd放在導(dǎo)軌上，并與導(dǎo)軌垂直。每根棒在導(dǎo)軌間的部分，電阻均為R= 1.0Ω。用長(zhǎng)為L(zhǎng)=2的絕緣絲線將兩棒系住。整個(gè)裝置處在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。t=0的時(shí)刻，磁場(chǎng)方向豎直向下，絲線剛好處于未被拉伸的自然狀態(tài)。此后，磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t的變化如圖乙所示。不計(jì)感應(yīng)電流磁場(chǎng)的影響。整個(gè)過(guò)程絲線未被拉斷。求：

（1）0~2.0s的時(shí)間內(nèi)，電路中感應(yīng)電流的大小及方向；

（2）t=1.0s的時(shí)刻絲線的拉力大小。

解析：

例3. 如圖甲所示，空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直紙面向外。abcd是由均勻電阻絲做成的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框，總電阻值為R。線框以垂直磁場(chǎng)邊界的速度v勻速通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域。在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，線框ab、cd兩邊始終與磁場(chǎng)邊界平行。設(shè)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)的位置x=0，x軸沿水平方向向右。求：

（1）cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，ab兩端的電勢(shì)差，并指明哪端電勢(shì)高；

（2）線框穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱；

（3）在下面的乙圖中，畫(huà)出ab兩端電勢(shì)差Uab隨距離變化的圖象。其中U0=Blv。

解析：（1）cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，切割等效電路圖：E=BLv

線框完全進(jìn)磁場(chǎng)

線框出磁場(chǎng)

例4. 邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中繞軸OO’勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。初始時(shí)刻線框平面與磁場(chǎng)垂直，如圖所示。經(jīng)過(guò)t時(shí)間，線框轉(zhuǎn)過(guò)120°。求：

（1）線框轉(zhuǎn)動(dòng)周期和線框轉(zhuǎn)過(guò)120°時(shí)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的瞬時(shí)值；

（2）線框內(nèi)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)在t時(shí)間內(nèi)的平均值；

（3）若線框電阻為r，小燈泡電阻為R，計(jì)算小燈泡的電功率。

例5. 如圖所示，處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的兩根足夠長(zhǎng)、電阻不計(jì)的平行金屬導(dǎo)軌相距1m，導(dǎo)軌平面與水平面成θ=37°角，下端連接阻值為R的電阻，勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向與導(dǎo)軌平面垂直，質(zhì)量為0.2kg、電阻不計(jì)的金屬棒放在兩導(dǎo)軌上，棒與導(dǎo)軌垂直并保持良好接觸，它們之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為0.25。

（1）求金屬棒沿導(dǎo)軌由靜止開(kāi)始下滑時(shí)的加速度大��；

（2）當(dāng)金屬棒下滑速度達(dá)到穩(wěn)定時(shí)，電阻R消耗的功率為8W，求該速度的大��；

（3）在上問(wèn)中，若R=2Ω，金屬棒中的電流方向由a到b，求磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小與方向。（g=10m/s2，sin37°=0.6，cos37°=0.8）

解析：

l的正方形金屬框abcd（下簡(jiǎn)稱方框）放在光滑的水平地面上，其外側(cè)套著一個(gè)與方框邊長(zhǎng)相同的U型金屬框架MNPQ（下簡(jiǎn)稱U型框），U型框與方框之間接觸良好且無(wú)摩擦。兩個(gè)金屬框每條邊的質(zhì)量均為m，每條邊的電阻均為r。

（1）將方框固定不動(dòng)，用力拉動(dòng)U型框使它以速度v0垂直NQ邊向右勻速運(yùn)動(dòng)，當(dāng)U型框的MP端滑至方框的最右側(cè)（如圖乙所示）時(shí)，方框上的bd兩端的電勢(shì)差為多大？此時(shí)方框的熱功率為多大？

（2）若方框不固定，給U型框垂直NQ邊向右的初速度v0，如果U型框恰好不能與方框分離，則在這一過(guò)程中兩框架上產(chǎn)生的總熱量為多少？

（3）若方框不固定，給U型框垂直NQ邊向右的初速度v(v>v0)，U型框最終將與方框分離，如果從U型框和方框不再接觸開(kāi)始，經(jīng)過(guò)時(shí)間t方框最右側(cè)和U型框最左側(cè)距離為s。求兩金屬框分離后的速度各多大。

解析：（1）等效電路圖：Blv0

解析：

波、熱、光、原子二模前專題

1. 下列說(shuō)法正確的是（ ）

A. 做布朗運(yùn)動(dòng)的顆粒越大，運(yùn)動(dòng)越劇烈；

B. 分子間距離為r0為兩個(gè)分子間分子引力和斥力平衡的距離，r為兩個(gè)分子的實(shí)際距離，則以下說(shuō)法正確的是（ ）

A. r=r0< 2r由小于r0逐漸增大到大于2 r0的過(guò)程中，分子間的分子引力是先增大后減小

D. 當(dāng) r0逐漸減小到小于 的光照射到陰極K上時(shí)，電路中有光電流，則（ ）

A. 若換用波長(zhǎng)為 ( ＞ ( ) 的光照射陰極K時(shí)，電路中一定有光電流

C. 增加電路中電源兩極電壓，電路中光電流一定增大

D. 若將電源極性反接，電路中一定沒(méi)有光電流產(chǎn)生

7. 用較強(qiáng)的紫光照射某金屬，發(fā)生了光電效應(yīng)，逸出光電子的最大初動(dòng)能為E1，形成的飽和光電流為I1；若改用較弱的紫外光照射，逸出光電子的最大初動(dòng)能為E2，形成的飽和光電流為I2。則：

①E1>E2 ②E1<E2 ③I1>I2 ④I1<I2

A. ①③ B. ①④ C. ②③ D. ②④

8. 光熱轉(zhuǎn)換是將太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)換成其他物質(zhì)內(nèi)能的過(guò)程，太陽(yáng)能熱水器就是一種光熱轉(zhuǎn)換裝置，它的主要轉(zhuǎn)換器件是真空玻璃管，這些玻璃管將太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)換成水的內(nèi)能。真空玻 璃管上采用鍍膜技術(shù)增加透射光，使盡可能多的太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)化的熱能，這種鍍膜技術(shù)的 學(xué)依據(jù)是（ ）

A. 光的直線傳播 B. 光的粒子性 C. 光的干涉 D. 光的衍射

9. 下列有關(guān)光現(xiàn)象的說(shuō)法中正確的是 （ ）

A. 在太陽(yáng)光照射下，水面上油膜出現(xiàn)彩色花紋是光的色散現(xiàn)象

B. 在光的雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中，若僅將入射光由綠光改為黃光，則條紋間距變寬

C. 光導(dǎo)纖維絲的內(nèi)芯材料的折射率比外套材料的折射率小

D. 光的偏振現(xiàn)象說(shuō)明光是一種縱波

10. 用a、b兩種單色光分別照射同一雙縫干涉裝置，在距雙縫恒定距離的屏上得到如圖所示的干涉圖樣，其中圖甲是a光照射時(shí)形成的，圖乙是b光照射時(shí)形成的，則關(guān)于a、b兩束單色光，下述說(shuō)法中正確的是（ ）

A. a光光子的能量比b光的小

B. 在水中a光傳播的速度比b光的大

C. 水對(duì)a光的折射率比b光的大

D. b光的波長(zhǎng)比a光的短

11. 欲使處于基態(tài)的氫原子激發(fā)，下列措施可行的是（ ）

A. 用10.3ev的光子照射 B. 用11ev的光子照射

C. 用14ev的光子照射 D. 用11ev的電子碰撞

12. 下列敘述中符合物理史實(shí)的是（ ）

A. 湯姆生發(fā)現(xiàn)電子，從而提出了原子核式結(jié)構(gòu)學(xué)說(shuō)

B. 愛(ài)因斯坦提出的光子說(shuō)圓滿的解釋了光電效應(yīng)現(xiàn)象

C. 貝克勒耳通過(guò)對(duì)天然放射性現(xiàn)象的研究，發(fā)現(xiàn)了原子核中含有質(zhì)子

D. 麥克斯韋提出了電磁場(chǎng)理論，并用實(shí)驗(yàn)證實(shí)了電磁波的存在

13. 下列說(shuō)法正確的是（ ）

A. α粒子散射實(shí)驗(yàn)說(shuō)明原子核內(nèi)部具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)

B. 太陽(yáng)光譜中的暗線說(shuō)明太陽(yáng)內(nèi)部有與這些暗線相對(duì)應(yīng)的元素

C. 用單色光做雙縫干涉實(shí)驗(yàn)，在裝置不變的情況下，紅光條紋間距大于藍(lán)光條紋間距

D. 在核反應(yīng) 中放出的能量（即 、 、m1、m3、 核反應(yīng)方程，下列說(shuō)法正確的是（ ）

A. 這是核裂變反應(yīng)

B. 這是核聚變反應(yīng)

C. 反應(yīng)中吸收的能量為（m2 - m3 - c2

D. 反應(yīng)中放出的能量為（m4 - m1 - c2

15. 下面幾種射線中，由原子的內(nèi)層電子受激發(fā)后產(chǎn)生的射線應(yīng)是（ ）

A. 紫外線 B. γ射線

C. 紅外線 D. X 射線

16. 一個(gè)靜止的放射性元素的原子核放在垂直于紙面向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，它發(fā)生衰變后產(chǎn)生的徑跡是兩個(gè)外切的圓，則可能（ ）

A. 是α衰變， 半徑較大的圓是α粒子的徑跡

B. 是β衰變，半徑較大的圓是β粒子的徑跡

C. 在半徑較大的圓徑跡上運(yùn)動(dòng)的粒子的繞向是順時(shí)針的

D. 在半徑較小的圓徑跡上運(yùn)動(dòng)的粒子的繞向是順時(shí)針的

17. 氫原子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，則核外電子（ ）

A. 動(dòng)能增加，電勢(shì)能減少，動(dòng)能的增加量小于電勢(shì)能的減少量

B. 動(dòng)能增加，電勢(shì)能減少，動(dòng)能的增加量等于電勢(shì)能的減少量

C. 動(dòng)能減少，電勢(shì)能增加，動(dòng)能的減少量大于電勢(shì)能的增加量

D. 動(dòng)能減少，電勢(shì)能增加，動(dòng)能的減少量等于電勢(shì)能的增加量

18. 1964年至1967年我國(guó)第一顆原子彈和第一顆氫彈相繼試驗(yàn)。1999年9月18日，中共中央、國(guó)務(wù)院、中央軍委隆重表彰為研制“兩彈一星”作出杰出貢獻(xiàn)的科學(xué)家。下列核反應(yīng)方程中屬于“兩彈”的基本反應(yīng)方程式是（ ）

A.

C.

D. 時(shí)相遇，則（ ）

A. 兩列波在A、B間的傳播速度均為

B. 兩列波的波長(zhǎng)都是4m

C. 在兩列波相遇過(guò)程中，中點(diǎn)C為振動(dòng)加強(qiáng)點(diǎn)

D. t2=0.5s時(shí)刻B點(diǎn)經(jīng)過(guò)平衡位置且振動(dòng)方向向下

x軸上傳播，實(shí)線和虛線分別是t2時(shí)刻的波形圖，已知t1=1.0s。由圖判斷下列哪一個(gè)波速不可能的是 （ ）

A. 1m/s B. 3m/s

C. 5m/s D. 10m/s

24. 將一個(gè)電動(dòng)傳感器接到計(jì)算機(jī)上，就可以測(cè)量快速變化的力，用這種測(cè)得某單擺擺動(dòng)時(shí)懸線上拉力的大小隨時(shí)間變化的曲線如圖所示，根據(jù)此圖提供的信息作出以下判斷（ ）

A. 擺球的擺動(dòng)周期t=0.2 s擺球正好經(jīng)過(guò)最低點(diǎn)

C. t=1.1 s擺球正好經(jīng)過(guò)最低點(diǎn)

D. 擺球擺動(dòng)過(guò)程中機(jī)械能減小

25. 如圖所示，兩列簡(jiǎn)諧橫波分別沿x=-2×10-1m和v=0.4m/s，波源的振幅均為t=0時(shí)刻兩列波的圖象（傳播方向如圖所示），此刻平衡位置在x=2×10-1m和P、Q兩質(zhì)點(diǎn)剛開(kāi)始振動(dòng)。質(zhì)點(diǎn)x=5×10-1m處，關(guān)于各質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)情況的下列判斷中正確的是（ ）

A. 質(zhì)點(diǎn)P、Q都首先沿y 軸正向運(yùn)動(dòng)

B. t=0.75s時(shí)刻，質(zhì)點(diǎn)Q都運(yùn)動(dòng)到t=1s時(shí)刻，質(zhì)點(diǎn)t=1s時(shí)刻，質(zhì)點(diǎn)

【答案】

1. B 2. B 3. A 4. D 5. C

6. B 7. C 8. C 9. B 10 高一. C

11. D 12. B 13. C 14. B 15. D

16. A 17. A 18. D 19. B 20. C

21. 解析：

22. D 23. D 24. B 25. D

本文來(lái)自：逍遙右腦記憶 http://yy-art.cn/gaozhong/44196.html

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