隨著高科技日益發(fā)展，電子器件正在日趨小型化，現(xiàn)代計(jì)算機(jī)則是用10-3 cm厚的“硅片”制成的，這僅是晶體管的百分之一。再下一代人們需要的一定是體積更小、響應(yīng)更快、能量更省的導(dǎo)電材料，這就得靠化學(xué)家在分子水平上研究出新型的金屬導(dǎo)體──分子金屬導(dǎo)體。面對(duì)著挑戰(zhàn)，化學(xué)家要設(shè)計(jì)一些分子，能讓電子在晶體中某個(gè)分子的原子與相鄰的另一個(gè)分子的原子之間很方便地流動(dòng)。近年來(lái)英國(guó)的昂德希爾教授設(shè)計(jì)出一種“分子金屬”，平面狀的分子呈層狀堆砌成晶體，每個(gè)分子中的金屬原子都在某一方向（橫子鏈橫向地在分子之間穿越，形成分子級(jí)的新導(dǎo)體。這鏈橫向地在分子之間穿越，形成分子級(jí)的新導(dǎo)體。這是現(xiàn)代化學(xué)中有代表性前沿領(lǐng)域的最新成就之一。設(shè)計(jì)“分子金屬”重要的是如何選擇配位體，使這些金屬原子進(jìn)行組合而恰到好處地堆砌起來(lái)。他們發(fā)現(xiàn)硫和硒連結(jié)金屬比較理想。他們?cè)O(shè)計(jì)的每個(gè)分子都是平面型的，中間有一個(gè)鉑金屬原子，它周圍有四個(gè)硫原子，每個(gè)鉑原子的上面和下面各有一個(gè)屬于上一層或下一層分子的鉑原子，所以有很多條可供電子穿越的“鉑-硫原子鏈”貫穿整個(gè)晶體。在實(shí)驗(yàn)室里可測(cè)定這些晶體的導(dǎo)電性，室溫下它們的性能和“一維金屬”相似。 這些“分子金屬”導(dǎo)電性能的優(yōu)劣取決于晶體中原子之間的間隔，這些信息可以從X射線衍射圖上得到。這種材料的性質(zhì)不僅取決于金屬原子之間的距離，還取決于不同堆砌方式中相鄰分子間硫原子互相靠近的程度。將晶體的導(dǎo)電性能與X射線衍射圖進(jìn)行比較，化學(xué)家便能了解分子結(jié)構(gòu)是如何影響電子流動(dòng)的。顯然，要求化學(xué)家有很高明的技巧來(lái)精細(xì)地調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，以接納游動(dòng)電子。這類“分子金屬”可望對(duì)未來(lái)的“分子計(jì)算機(jī)”有很大的影響，以硅為基礎(chǔ)的電子工業(yè)技術(shù)將被淘汰。
本文來(lái)自：逍遙右腦記憶 http://www.yy-art.cn/chuzhong/717720.html

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