課題[來(lái)]專題[專題3微粒間作用力與物質(zhì)性質(zhì)
單元第二單元離子鍵 離子晶體
節(jié)題 第二課時(shí)金屬晶體
教學(xué)目標(biāo)知識(shí)與技能1、理解離子鍵的涵義，能說(shuō)明離子鍵的形成
2．能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。
過(guò)程與方法進(jìn)一步豐富晶體結(jié)構(gòu)的知識(shí)，提高分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力和聯(lián)想比較思維能力。
情感態(tài)度
與價(jià)值觀通過(guò)學(xué)習(xí)金屬特性，體會(huì)化學(xué)在生活中的應(yīng)用，增強(qiáng)學(xué)習(xí)化學(xué)的興趣；
教學(xué)重點(diǎn)金屬晶體的基本堆積模型對(duì)應(yīng)的晶胞中金屬原子的數(shù)目
教學(xué)難點(diǎn)金屬晶體的基本堆積模型對(duì)應(yīng)的晶胞中金屬原子的數(shù)目
教學(xué)方法探究講練結(jié)合
教學(xué)準(zhǔn)備
教
學(xué)
過(guò)
程
教師主導(dǎo)活動(dòng)學(xué)生主體活動(dòng)
[基礎(chǔ)知識(shí)]
1． 叫離子鍵
2．按要求寫(xiě)出電子式
3、構(gòu)成離子晶體的微粒 。
[知識(shí)要點(diǎn)]
一、離子鍵：平衡、無(wú)方向性和飽和性
以陰、陽(yáng)離子結(jié)合成離子化合物的化學(xué)鍵，就是離子鍵。
以 NaCl 為例，講解離子鍵的形成過(guò)程：
1）電子轉(zhuǎn)移形成離子：一般達(dá)到稀有氣體原子的結(jié)構(gòu)
分別達(dá)到 Ne 和 Ar 的稀有氣體原子的結(jié)構(gòu)，形成穩(wěn)定離子。
電子排布式正確寫(xiě)出
教
學(xué)
過(guò)
程教師主導(dǎo)活動(dòng)學(xué)生主體活動(dòng)
二、離子形成過(guò)程：
三、離子化合物：
大多數(shù)的堿、鹽類
【典型例題】
1．已知氮化鈉(Na3N)在熔融時(shí)能導(dǎo)電，與水作用時(shí)產(chǎn)生NH3。試回答下列問(wèn)題：
(1)寫(xiě)出Na3N 的電子式 氮化鈉屬于 晶體。
(2)比較微粒的半徑，Na+ N3 -(填“＜”、“＞”、“=”
[解析] 根據(jù)題意，氮化鈉(Na3N)在熔融狀態(tài)下存在自由移動(dòng)的離子，因此，氮化鈉為離子化合物，一般情況下，鈉在化合物中顯+1價(jià)，則氮化鈉中氮的化合價(jià)為-3價(jià)�？蓪�(xiě)出Na3N 的電子式。Na+ 、N3 ?的電子層結(jié)構(gòu)相同，均為1s22s22p6，對(duì)于電子層結(jié)構(gòu)相同的離子而言，核電荷數(shù)越大，對(duì)核外電子的吸引能力就越大，離子的半徑就越小，反之，核電荷數(shù)越小，對(duì)核外電子的吸引能力就越小，離子的半徑就越大。因此，Na+的半徑小于N3 ?的半徑。
2．固體A的化學(xué)式為NH5，它的所有原子的最外層都符合相應(yīng)的稀有氣體原子的最外層電子結(jié)構(gòu)。該物質(zhì)適當(dāng)加熱就分解成兩種氣體。試回答下列問(wèn)題：
⑴ 固體A屬于 晶體，它的電子式為
⑵ A溶于水后，溶液呈 性（酸、堿或中性），其原因是（用化學(xué)方程式表示）
⑶ A與銅或銅的某些化合物在一定條件下可合成CuH。 CuH是一種難溶物，①它能在氯氣中著火，②它能與鹽酸反應(yīng)，放出氣體。請(qǐng)寫(xiě)出這兩個(gè)反應(yīng)的化學(xué)方程式
（1）離子，
（2）堿，NH5+H2O→NH4OH+H2↑
（3）2CuH+3Cl2===2CuCl2+2HCl; CuH+HCl== CuCl+H2↑,
[說(shuō)明]題給信息指出該物質(zhì)適當(dāng)加熱就分解成兩種氣體，說(shuō)明該物質(zhì)應(yīng)該是銨鹽，為離子化合物。因此該化合物可以表示為NH4H。與銨鹽的性質(zhì)類比推導(dǎo)出NH4H的性質(zhì)，可知NH4+溶于水顯堿性。同樣可以推三箭號(hào)
離子晶體，
學(xué)會(huì)信息處理
教
學(xué)
過(guò)
程教師主導(dǎo)活動(dòng)學(xué)生主體活動(dòng)
導(dǎo)出化合物CuH中氫為-1價(jià)，CuH在氯氣中著火時(shí)，+1價(jià)的銅離子被氧化成+2價(jià)的銅離子，-1價(jià)的氫被氧化成+1價(jià)的氫生成HCl，反應(yīng)的化學(xué)方程式為2CuH+3Cl2===2CuCl2+ 2HCl。-1價(jià)的氫具有較強(qiáng)的還原性，根據(jù)CuH與鹽酸反應(yīng)氣體有放出的信息可以推出該氣體為H2，因此該反應(yīng)的化學(xué)方程式為CuH+ HCl== CuCl+H2↑。
[小結(jié)]正確寫(xiě)出氯化鈉、過(guò)氧化鈉、氫氧化鈉、氯化銨的電子式
板書(shū)計(jì)劃一、離子鍵：平衡、無(wú)方向性和飽和性
二、離子形成過(guò)程：
三、離子化合物：
【課后練習(xí)】
1．下列物質(zhì)屬于離子化合物的是 ( )
A．NH3B．NaFC．HBrD．KOH
2．某主族元素A的外圍電子排布式為ns2，另一主族元素B的外圍電子排布為ns2np4，則兩者形成的離子化合物的化學(xué)式可能為
A．ABB．A2BC．AB2D．A2B3
3．下列敘述正確的是 (
A．氯化鈉晶體不能導(dǎo)電，所以氯化鈉不是電解質(zhì)
B．氯化鈉溶液能導(dǎo)電，所以氯化鈉溶液是電解質(zhì)
C．熔融的氯化鈉和氯化鈉溶液都能產(chǎn)生自由移動(dòng)的離子
D．氯化鈉熔融時(shí)不破壞氯化鈉晶體中的離子鍵。
4．形成化合物中形成離子鍵的所有微粒，其基態(tài)電子層結(jié)構(gòu)都與氬原子相同的是（ ）
A．MgCl2B．CaBr2C．K2SD．Na2O
5．下列微粒中，離子半徑最小的是（ ）
A．Ca2+B．K+C．Cl-D．S2-
6．下列對(duì)于NaCl的正確敘述是 （ ）
A．NaCl是氯化鈉晶體的分子式
B．氯化鈉晶體中一個(gè)鈉離子吸引一個(gè)氯離子
C．NaCl晶體中不存在單個(gè)分子
D．Na+和Cl-的基態(tài)最外層電子排布都是3s23p6
7．下列微粒中，基態(tài)最外層電子排布滿足ns2np6的一組是（ ）
A．Ba2+、Mg2+B．K+、Cu2+C．Ca2+、Zn2+D．Na+、Al3+
8．下列離子化合物中，兩核間距離最大的是
A．LiClB．NaFC．KClD．NaCl
9、下列關(guān)于離子晶體性質(zhì)的敘述中不正確的是 �。ā� �。�
A．離子晶體具有較高的熔沸點(diǎn) B．離子晶體具有較大的硬度
C．離子晶體在熔化狀態(tài)時(shí)都能導(dǎo)電 D．離子晶體中陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1∶1
10．下列各組原子基態(tài)核外電子排布式所表示的兩種元素，能形成AB2型離子化合物的（ ）
A．1s22s22p2和1s22s22p4 B．1s22s22p63s1和1s22s22p63s23p1C．1s22s22p63s1和1s22s22p63s23p4 D．1s22s22p63s2和1s22s22p63s23p5
11． 下列電子式中，正確的是 （ ）
12．氫化鈉(NaH)是一種白色的離子晶體，其中鈉是+1價(jià)，NaH與水反應(yīng)放出氫氣。下列敘述中，正確的是（ ）
A．NaH在水中顯酸性
B．NaH中氫離子的電子層排布與氦原子的相同
C．NaH中氫離子半徑比鋰離子半徑大
D．NaH中氫離子可被還原成氫氣
1．BD [說(shuō)明] 離子化合物是由陽(yáng)離子和陰離子組成的化合物。活潑金屬（如鈉、鉀、鈣、鎂等）與活潑非金屬（如氟、氯、氧、硫等）相互化合時(shí)，活潑金屬失去電子形成帶正電荷的陽(yáng)離子（如Na+、K+、Ca2+、Mg2+等），活潑非金屬得到電子形成帶負(fù)電荷的陰離子（如F-、Cl-、O2-、S2-等），陽(yáng)離子和陰離子靠靜電作用形成了離子化合物。如，氯化鈉即是由帶正電的鈉離子（Na+）和帶負(fù)電的氯離子（Cl-）組成的離子化合物。許多堿（如NaOH、KOH、Ba(OH)2等）和鹽（如CaCl2、KNO3、CuSO4 等）都是離子化合物。
2．A [說(shuō)明] 根據(jù)題給信息，A元素的原子容易失去兩個(gè)電子形成更穩(wěn)定的離子，B元素的原子容易得到兩個(gè)電子形成8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，因此，A與B可以1:1的比例生成離子化合物AB。
3．C [說(shuō)明] 所謂電解質(zhì)是指在水溶液中或熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姷幕衔�。氯化鈉在水溶液和熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ�，因此氯化鈉是電解質(zhì)。氯化鈉溶液是混合物，不屬于電解質(zhì)的范疇。氯化鈉熔融時(shí)必須打破原來(lái)的離子鍵才能產(chǎn)生自由移動(dòng)的離子，成為液態(tài)。因此ABD均錯(cuò)誤。
4．C [說(shuō)明] 氬原子的電子層結(jié)構(gòu)為1s22s2sp63s23p6,第三周期的Si4-、P3-、S2-、Cl-離子和第四周期的K+、Ca2+離子的基態(tài)電子層結(jié)構(gòu)都與氬原子的電子層結(jié)構(gòu)相同。答案為C。
5．A[說(shuō)明]對(duì)于電子層結(jié)構(gòu)相同的離子，核電荷數(shù)越大，對(duì)核外電子的吸引能力越強(qiáng)，半徑就越小。反之，核電荷數(shù)越小大，對(duì)核外電子的吸引能力越弱強(qiáng)，半徑就越大小。Ca2+ 、K+ 、Cl- 、S2-的電子層結(jié)構(gòu)都與氬原子的電子層結(jié)構(gòu)相同，其中Ca2+的核電荷數(shù)最大，其半徑就最小。
6．C [說(shuō)明]氯化鈉是離子化合物，且“NaCl”也只表示出一個(gè)晶胞中鈉原子和氯原子的個(gè)數(shù)比，而不能表示出鈉原子和氯原子的個(gè)數(shù)，因此“NaCl”只是氯化鈉晶體的化學(xué)式。氯化鈉晶體屬于面心立方晶體（如左圖）�？梢�(jiàn)1個(gè)鈉離子吸引6個(gè)氯離子。Na+的基態(tài)最外層電子排布為2s22p6，Cl-的基態(tài)最外層電子排布是3s23p6。因此，A、B、D都不正確。
7．AD [說(shuō)明]Ba2+的基態(tài)最外層電子排布為4s24p6；Mg2+基態(tài)最外層電子排布為2s22p6； K+基態(tài)最外層電子排布為3s23p6；Cu2+基態(tài)最外層電子排布為3s23p63d9；Ca2+基態(tài)最外層電子排布3s23p6；Zn2+基態(tài)最外層電子排布3s23p63d10；Na+基態(tài)最外層電子排布2s22p6；Al3+基態(tài)最外層電子排布為2s22p6。滿足題意的只有AD。
8．C [說(shuō)明] 離子化合物中，兩核間距離可近似的看成兩個(gè)離子的半徑和，Li+、Na+、K+離子的離子半徑依次增大，F(xiàn)-離子的離子半徑大于Cl-離子的離子半徑；因此，答案為C。
9．D [說(shuō)明] 離子晶體具有較高的熔沸點(diǎn)和有較大的硬度，熔融狀態(tài)下存在自由移動(dòng)的離子能導(dǎo)電。晶體中陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比則各不相同，如氯化鈉晶體中陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1∶1；氯化鎂晶體中陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為2∶1，等等�！�
10．D [說(shuō)明] 能形成AB2型離子化合物的A、B元素的原子必須要滿足以下條件：A原子容易失去2n個(gè)電子形成更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，B原子容易得到n個(gè)電子形成更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。滿足該條件的只有D。
11．C[說(shuō)明]電子式是用來(lái)表示原子或離子最外層電子結(jié)構(gòu)的式子。原子的電子式是在元素符號(hào)的周圍畫(huà)小黑點(diǎn)（或×）表示原子的最外層電子。離子化合物的電子式書(shū)寫(xiě)時(shí)要在陰離子或原子團(tuán)外加方括弧，并在方括弧的右上角標(biāo)出離子所帶電荷的電性和電量。
A選項(xiàng)中氯離子最外層電子數(shù)為8，正確的表達(dá)式為
B選項(xiàng)中銨根離子的書(shū)寫(xiě)不對(duì)，正確的表達(dá)式為
D選項(xiàng)中，陰離子外少加了方括弧，正確的表達(dá)式為
本文來(lái)自：逍遙右腦記憶 http://yy-art.cn/gaoer/74100.html
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