對你來說,化學(xué)好學(xué)么?小編準(zhǔn)備了高二寒假化學(xué)作業(yè),希望可以提供幫助。
一、選擇題(本題共7道小題
1.下列各組元素性質(zhì)的遞變情況錯(cuò)誤的是()
A.Na、Mg、Al原子最外層電子數(shù)依次增多
B.P、S、Cl元素最高正價(jià)依次升高
C.N、O、F第一電離能依次增大
D.Na、K、Rb電負(fù)性逐漸減小
2.下列表示式錯(cuò)誤的是()
A.Na+的軌道表示式:
B.Na+的結(jié)構(gòu)示意圖:
C.Na的電子排布式:1s22s22p63s1
D.Na的簡化電子排布式:[Ne]3s1
3.短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、w、Y具有如下信息:①R、Y原子的最外層電子數(shù)與電子層數(shù)相同;@Q是地殼中含量最高的元素,R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù);③w與R同主旅。下列說法正確的是 ( )
A.T、Q、w、Y的原子半徑大小為:T乙甲
D.甲、乙和丙分子均為由極性鍵構(gòu)成的極性分子
(3)由元素J、C、E組成一種化學(xué)式為J(CE)的配位化合物,該物質(zhì)常溫下呈液態(tài),熔點(diǎn)為
一20.5℃,沸點(diǎn)為103~C,易溶于非極性溶劑。據(jù)此可判斷:該化合物的晶體中存在的作用力有( )
A. 離子鍵B.極性鍵C.非極性鍵D.范德華力E.氫鍵F.配位鍵
Ⅱ.(1) BCl3中B原子的雜化方式為 。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有 種。寫出與BCl3結(jié)構(gòu)相同的一種等電子體 (寫離子)。
(2)科學(xué)家測得膽礬中既含有配位鍵,又含有氫鍵,其結(jié)構(gòu)示意圖可簡單表示如下:
①膽礬的化學(xué)式用配合物的形式表示為的
②膽礬中SO42-的空間構(gòu)型為
評卷人
得分
三、實(shí)驗(yàn)題(本題共0道小題,,共0分) 試卷答案
1.C
考點(diǎn):同一周期內(nèi)元素性質(zhì)的遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系;同一主族內(nèi)元素性質(zhì)遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系.
分析:A、根據(jù)Na、Mg、Al原子的核外電子排布分析;
B、根據(jù)P、S、Cl最外層電子數(shù)目=元素的最高正價(jià)(氧、氟除外);
C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小,第IIIA和第VA族反常;
D、同主族元素從上到下元素的電負(fù)性逐漸減弱.
解答:解:A、Na、Mg、Al原子的核外電子分別為11、12、13,原子最外層電子數(shù)分別為1、2、3,逐漸增多,故A正確;
B、P、S、Cl最外層電子數(shù)目分別為5、6、7,最高正化合價(jià)分別為+5、+6、+7,故B正確;
C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小,第IIIA和第VA族反常,O、N、F第一電離能依次增大,故C錯(cuò)誤;
D.同主族元素從上到下元素的電負(fù)性依次減弱,則Na、K、Rb元素的電負(fù)性逐漸減小,故D正確.
2.A
考點(diǎn):原子核外電子排布;原子結(jié)構(gòu)示意圖.
分析:鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1,或?qū)憺閇Ne]3s1,Na+的原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子,核外有10個(gè)電子,Na為金屬元素,易失去電子,所以其價(jià)電子排布式為:3s1,軌道表示式用箭頭或來區(qū)別自旋方向的不同電子,每個(gè)軌道最多容納2個(gè)電子且自旋方向相反,據(jù)此分析解答.
解答:解:A.軌道表示式用一個(gè)方框或圓圈表示能級中的軌道,用箭頭或來區(qū)別自旋方向的不同電子,每個(gè)軌道最多容納2個(gè)電子,2個(gè)電子處于同一軌道內(nèi),且自旋方向相反,所以Na+的軌道表示式:,故A錯(cuò)誤;
B.Na+的原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子,核外有10個(gè)電子,結(jié)構(gòu)示意圖為,故B正確;
C.鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1,或?qū)憺閇Ne]3s1,故C正確;
D.鈉原子的簡化電子排布式為[Ne]3s1,故D正確;
3.B
知識點(diǎn):位置、結(jié)構(gòu)、性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用
答案解析:B 解析:短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、W、Y,Q是地殼中含量最高的元素,則Q是O元素; R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù),且R原子的最外層電子數(shù)等于其單質(zhì)層數(shù),則R是H,T是N元素; Y原子的最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù),且Y的原子序數(shù)大于O元素,則Y電子層數(shù)為3、其最外層電子數(shù)是3,則Y是Al元素; W與R同主族且W原子序數(shù)大于O而小于Al,則W為Na。
A.原子的電子層數(shù)越大,其原子半徑越大,同一周期元素中,原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小,所以元素T、Q、W、Y的原子半徑大小為:Q
錯(cuò)誤;B.元素Q與W形成的兩種常見化合物分別是Na2O、Na2O2,氧化鈉、過氧化鈉中含有相同比例的陰、陽離子,其陰陽離子之比為1:2,正確;C.Q與Y組成的常見物質(zhì)是Al2O3,氧化鋁是一種兩性物質(zhì),錯(cuò)誤;D.由Y和T組成的物質(zhì)AlN,AlN屬于原子晶體,在電子和陶瓷工業(yè)上有廣泛應(yīng)用,可以直接由單質(zhì)Y和T在高溫下生成,錯(cuò)誤。
思路點(diǎn)撥:本題考查了元素位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用,明確原子結(jié)構(gòu)、元素周期表結(jié)構(gòu)是解本題關(guān)鍵,根據(jù)原子結(jié)構(gòu)確定元素,再結(jié)合物質(zhì)結(jié)構(gòu)、元素周期律來分析解答,注意過氧化鈉的陰陽離子分別是過氧根離子和鈉離子,為易錯(cuò)點(diǎn)。
4.D
考點(diǎn):鍵能、鍵長、鍵角及其應(yīng)用;原子核外電子排布;判斷簡單分子或離子的構(gòu)型.
分析:A.根據(jù)鍵長越短,鍵能越大判斷;
B.上下兩個(gè)頂點(diǎn)與中心R原子形成的鍵角為180,中間為平面三角形,構(gòu)成三角形的鍵角為120,頂點(diǎn)與平面形成的鍵角為90
C.RCl5RCl3+Cl2
D.R原子最外層有5個(gè)電子,形成5個(gè)共用電子對.
解答:解:A.鍵長越短,鍵能越大,鍵長不同,所以鍵能不同,故A正確;
B.上下兩個(gè)頂點(diǎn)與中心R原子形成的鍵角為180,中間為平面三角形,構(gòu)成三角形的鍵角為120,頂點(diǎn)與平面形成的鍵角為90,所以鍵角(Cl?R?Cl)有90、120、180幾種,故B正確;
C.RCl5RCl3+Cl2,則RCl5受熱后會(huì)分解生成分子立體結(jié)構(gòu)呈三角錐形的RCl3,故C正確;
D.R原子最外層有5個(gè)電子,形成5個(gè)共用電子對,所以RCl5中R的最外層電子數(shù)為10,不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故D錯(cuò)誤.
5. C
考點(diǎn):原子結(jié)構(gòu)與元素周期律的關(guān)系;原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì).
分析:短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4:3,由于為主族元素,最外層電子數(shù)不能為8,故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3,且X原子序數(shù)較大,故W處于第二周期,X處于第三周期,可推知W為C元素、X為Al元素,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4,則Z為Cl,Y為Al到Cl之間的元素,據(jù)此解答.
解答:解:短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4:3,由于為主族元素,最外層電子數(shù)不能為8,故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3,且X原子序數(shù)較大,故W處于第二周期,X處于第三周期,可推知W為C元素、X為Al元素,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4,則Z為Cl,Y為Al到Cl之間的元素.
A.若Y為Si,則電負(fù)性Si
B.同周期自左而右原子半徑減小,電子層越多原子半徑越大,故原子半徑XZW,故B錯(cuò)誤;
C.Y、Cl形成的分子可以為SiCl4,為正四面體構(gòu)型,故C正確;
D.WY2分子應(yīng)為CS2,結(jié)構(gòu)式為S=C=S,分子中鍵與鍵的數(shù)目之比是1:1,故D錯(cuò)誤,
6.B
考點(diǎn):微粒半徑大小的比較;元素周期律的作用;元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用;鍵能、鍵長、鍵角及其應(yīng)用.
專題:元素周期律與元素周期表專題.
分析:A.電子層結(jié)構(gòu)相同,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,電子層越多離子半徑越大;
B.非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越強(qiáng),最高價(jià)含氧酸的酸性越強(qiáng);
C.甲烷為正四面體,二氧化碳為直線型,水分子為V形,氧原子有2對孤電子對,孤電子對之間排斥大于成鍵電子對,鍵角小于甲烷,據(jù)此判斷鍵角;
D.離子電荷相同,離子半徑越大離子鍵越弱,物質(zhì)越不穩(wěn)定.
解答:解:A.F?、O2?、Na+電子層結(jié)構(gòu)相同,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,故離子半徑O2?Na+,Li+電子層最少,故離子半徑最小,則微粒半徑:O2?Na+Li+,故A錯(cuò)誤;
B.非金屬性C
C.甲烷為正四面體,二氧化碳為直線型,水為V形,氧原子有2對孤電子對,孤電子對之間排斥大于成鍵電子對,故其鍵角小于甲烷,即分子中的鍵角:CO2H2O,故C錯(cuò)誤;
D.離子電荷相同,自上而下堿金屬離子半徑減小,故離子鍵強(qiáng)度LiClKClRbCl,故穩(wěn)定性LiClKClRbCl,故D錯(cuò)誤,
7.D
【知識點(diǎn)】原子結(jié)構(gòu)與元素周期率的關(guān)系
解析:X、Y、Z、W、M五種短周期元素,Y的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)高、硬度大,是一種重要的半導(dǎo)體材料,可知Y為Si;X、Y、Z、W同周期,都處于第三周期,由X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu),可知X為Na、M為O;Z、M同主族,則Z為S;原子半徑:ZW,則W為Cl。A.鈉和氧可以形成Na2O、Na2O2,故A錯(cuò)誤; C.因水分子中存在氫鍵,所以水的沸點(diǎn)最高,沸點(diǎn)為H2OH2S,故C錯(cuò)誤; B.元素Y(Si)、Z(S)、W(Cl)的單質(zhì)晶體分別屬于原子晶體、分子晶體、分子晶體,故B錯(cuò)誤; D.元素W和M的某些單質(zhì)如氯氣和臭氧可作為水處理中的消毒劑,正確。
【思路點(diǎn)撥】本題考查了位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)關(guān)系應(yīng)用,難度中等,Y是種重要的半導(dǎo)體材料、X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu)是推斷突破口,注意D選項(xiàng)中高純硅的制備原理,注意對基礎(chǔ)知識的積累掌握.
8.(1)①三角錐型;sp3;②3;
(2)①強(qiáng);平面三角形;三角錐形;
②H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價(jià),而H2SeO4中的Se為+6價(jià),正電性更高,導(dǎo)致Se?O?H中O的電子更向Se偏移,更易電離出H+.
考點(diǎn):判斷簡單分子或離子的構(gòu)型;物質(zhì)的量的相關(guān)計(jì)算;同一主族內(nèi)元素性質(zhì)遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系;原子軌道雜化方式及雜化類型判斷.
分析:(1)①根據(jù)價(jià)層電子對互斥模型判斷分子空間構(gòu)型,根據(jù)中心原子價(jià)層電子對數(shù)判斷雜化方式;
②根據(jù)化學(xué)方程式計(jì)算產(chǎn)生的氮?dú)獾奈镔|(zhì)的量,再根據(jù)每個(gè)氮分子中含有2個(gè)鍵計(jì)算;
(2)①非金屬性越強(qiáng)的元素,其與氫元素的結(jié)合能力越強(qiáng),則其氫化物在水溶液中就越難電解,酸性就越弱;根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型、SO32?離子的立體構(gòu)型;
②根據(jù)中心元素Se的化合價(jià)可以判斷電性高低,電性越高,對Se?O?H中O原子的電子吸引越強(qiáng),越易電離出H+.
解答:解:(1)①在NH3分子中,有3個(gè)N?H鍵,和一對孤電子對,根據(jù)價(jià)層電子對互斥模型判斷分子空間構(gòu)型為三角錐型,在N2H4中,氮原子價(jià)層電子對數(shù)為=4,所以氮原子的雜化方式為sp3雜化,故答案為:三角錐型;sp3;
②反應(yīng)中有4mol N?H鍵斷裂,即有1molN2H4參加反應(yīng),根據(jù)化學(xué)方程式可知產(chǎn)生的氮?dú)獾奈镔|(zhì)的量為1.5mol,而每個(gè)氮分子中含有2個(gè)鍵,所以形成3mol鍵,故答案為:3;
(2)①非金屬性越強(qiáng)的元素,其與氫元素的結(jié)合能力越強(qiáng),則其氫化物在水溶液中就越難電解,酸性就越弱,非金屬性SSe,所以H2Se的酸性比H2S強(qiáng);
氣態(tài)SeO3分子中Se原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對,所以其立體構(gòu)型為平面三角形;
SO32?離子中S原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=3+(6+2?32)=4且含有一個(gè)孤電子對,所以其立體構(gòu)型為三角錐形,
故答案為:強(qiáng);平面三角形;三角錐形;
②H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價(jià),而H2SeO4中的Se為+6價(jià),正電性更高,導(dǎo)致Se?O?H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+,H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng),
故答案為:H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價(jià),而H2SeO4中的Se為+6價(jià),正電性更高,導(dǎo)致Se?O?H中O的電子更向Se偏移,更易電離出H+.
9. (1)M 9 4 (2)二氧化硅 (3)共價(jià)鍵 3
(4)Mg2Si+4NH4Cl==SiH4+4NH3+2MgCl2
(5)①CC鍵和CH鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低,易斷裂。導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成
②CH鍵的鍵能大于CO鍵,C一H鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于SiO鍵,所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的SiO鍵
(6)sp3 1:3 [SiO3]n2n-(或SiO32-)
知識點(diǎn):物質(zhì)結(jié)構(gòu)與元素周期律
解析:(1)硅原子核外有14個(gè)電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2,對應(yīng)能層分別別為K、L、M,其中能量最高的是最外層M層,該能層有s、p、d三個(gè)能級,s能級有1個(gè)軌道,p能級有3個(gè)軌道,d能級有5個(gè)軌道,所以共有9個(gè)原子軌道,硅原子的M能層有4個(gè)電子(3s23p2);
(2)硅元素在自然界中主要以化合態(tài)(二氧化硅和硅酸鹽)形式存在;
(3)硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體,硅原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合.在金剛石晶體的晶胞中,每個(gè)面心有一個(gè)碳原子(晶體硅類似結(jié)構(gòu)),根據(jù)均攤法知面心位置貢獻(xiàn)的原子為 61/ 2 =3個(gè);
(4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2,方程式為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2;
(5)①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能,所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂,導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成;②鍵能越大、物質(zhì)就越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定,而Si-H鍵的鍵能遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵;
(6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO44 )為正四面體結(jié)構(gòu),所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;根據(jù)圖(b)的一個(gè)結(jié)構(gòu)單元中含有1個(gè)硅、3個(gè)氧原子,化學(xué)式為SiO32-。
思路點(diǎn)撥:雜化方式看物質(zhì)的結(jié)構(gòu)比如:直線型為sp,平面型為sp2,四面體型為sp3,或運(yùn)用價(jià)電子對數(shù)計(jì)算法:對于ABm型分子(A為中心原子,B為配位原子),分子的價(jià)電子對數(shù)可以通過下列計(jì)算確定:n=1/2(中心原子的價(jià)電子數(shù)+每個(gè)配位原子提供的價(jià)電子數(shù)m),配位原子中鹵素原子、氫原子提供1個(gè)價(jià)電子,氧原子和硫原子按不提供價(jià)電子計(jì)算;若為離子,須將離子電荷計(jì)算在內(nèi):n=1/2(中心原子的價(jià)電子數(shù)+每個(gè)配位原子提供的價(jià)電子數(shù)m離子電荷數(shù)),陽離子取-,陰離子取+。根據(jù)價(jià)電子對數(shù)可以有以下結(jié)論:
分子 價(jià)電子對數(shù) 幾何構(gòu)型 中心原子雜化類型
BeCl2 2 直線型 sp
BF3 3 平面三角形 sp2
SiCl4 4 正四面體 sp3
價(jià)層 孤 VS 立體SO3 3 0 sp2 平面三角CH4 4 0 sp3 正四面體NH4+ 4 0 sp3 正四面體H2O 4 2 sp3 VBF3 3 0 sp2 平面三角 CO3 2- 3 0 sp2 平面三角 SO2 3 1 sp2 VNH3 4 1 sp3 三角錐
10.I.(1) ;FOC(2)CD(3)BDF
(3)根據(jù)其性質(zhì)可知應(yīng)為分子晶體,晶體中存在范德華力,Cr(CO)5為配位化合物,其中含有配位鍵,CO中存在碳氧極性鍵。
Ⅱ.(1) sp2;3;NO3-或CO3 2-.
(2) ①[Cu(H2O)4SO4]H2O ②正四面體.
知識點(diǎn):原子軌道雜化方式及雜化類型判斷,等電子原理的應(yīng)用,不同晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作用力的區(qū)別,元素周期律和元素周期表的綜合應(yīng)用
答案解析:I(1) ;FOC(2)CD(3)BDF
(3)根據(jù)其性質(zhì)可知應(yīng)為分子晶體,晶體中存在范德華力,Cr(CO)5為配位化合物,其中含有配位鍵,CO中存在碳氧極性鍵。
Ⅱ.(1) sp2;3;NO3-或CO3 2-.
(2) ①[Cu(H2O)4SO4]H2O ②正四面體.
解析:由元素在周期表中位置,可知A為氫、B為Be、C為碳、D為氮、E為氧、F為氟、G為Al、H為Cl、I為Cr、J為Fe.(1)I為Cr,核外電子數(shù)目為24,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,價(jià)電子排布圖為;同周期自左而右元素第一電離能呈增大趨勢,N元素原子各軌道處于全滿、半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能:FOC。
(2)元素A分別與C、D、E形成最簡單的常見化合物分子甲、乙和丙分別為CH4、NH3、H2O,A.CH4、NH3、H2O的空間構(gòu)型分別為正四面體形、三角錐形、V形,故A正確;B.CH4、NH3、H2O中,中心原子均價(jià)層電子對數(shù)均為4,均采取sp3的雜化方式,故B正確;C.由于排斥力:孤電子對-孤電子對孤電子對-成鍵電子對成鍵電子-成鍵電子,故鍵角甲烷氨氣水,故C錯(cuò)誤;D.甲烷是非極性分子,故D錯(cuò)誤。
Ⅱ.(1) BCl3中的B原子的價(jià)層電子對數(shù)是3且不含孤電子對,所以B原子屬于sp2雜化;同一周期元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于相鄰元素,根據(jù)電離能的變化規(guī)律,半充滿的N原子和全充滿的Be原子第一電離能要比同周期原子序數(shù)大的原子高,故第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O三種元素;BCl3互為等電子體的陰離子為:NO3-或CO3 2-。
(2) ①根據(jù)其結(jié)構(gòu)示意圖可以得到膽礬的化學(xué)式為:[Cu(H2O)4SO4]H2O。
②SO42-中中心原子S的價(jià)層電子對數(shù)=4+(6+224)/2=4、孤電子對數(shù)為0,為正四面體結(jié)構(gòu).
思路點(diǎn)撥:本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查,涉及元素周期表、元素周期律、核外電子排布、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、配合物、氫鍵等,難度中等,側(cè)重考查學(xué)生對知識的應(yīng)用,需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ);物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),較為綜合,題目難度中等,本題注意把握晶格能的大小比較、空間構(gòu)型的判斷方法。
以上高二寒假化學(xué)作業(yè)就介紹到這里,祝同學(xué)們學(xué)業(yè)有成。
本文來自:逍遙右腦記憶 http://www.yy-art.cn/gaozhong/777985.html
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