新課標高二寒假化學作業(yè)2017

編輯: 逍遙路 關鍵詞: 高中化學 來源: 高中學習網(wǎng)

對你來說,化學好學么?小編準備了高二寒假化學作業(yè),希望可以提供幫助。

一、選擇題(本題共7道小題

1.下列各組元素性質的遞變情況錯誤的是()

A.Na、Mg、Al原子最外層電子數(shù)依次增多

B.P、S、Cl元素最高正價依次升高

C.N、O、F第一電離能依次增大

D.Na、K、Rb電負性逐漸減小

2.下列表示式錯誤的是()

A.Na+的軌道表示式:

B.Na+的結構示意圖:

C.Na的電子排布式:1s22s22p63s1

D.Na的簡化電子排布式:[Ne]3s1

3.短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、w、Y具有如下信息:①R、Y原子的最外層電子數(shù)與電子層數(shù)相同;@Q是地殼中含量最高的元素,R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù);③w與R同主旅。下列說法正確的是 ( )

A.T、Q、w、Y的原子半徑大小為:T乙甲

D.甲、乙和丙分子均為由極性鍵構成的極性分子

(3)由元素J、C、E組成一種化學式為J(CE)的配位化合物,該物質常溫下呈液態(tài),熔點為

一20.5℃,沸點為103~C,易溶于非極性溶劑。據(jù)此可判斷:該化合物的晶體中存在的作用力有( )

A. 離子鍵B.極性鍵C.非極性鍵D.范德華力E.氫鍵F.配位鍵

Ⅱ.(1) BCl3中B原子的雜化方式為 。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有 種。寫出與BCl3結構相同的一種等電子體 (寫離子)。

(2)科學家測得膽礬中既含有配位鍵,又含有氫鍵,其結構示意圖可簡單表示如下:

①膽礬的化學式用配合物的形式表示為的

②膽礬中SO42-的空間構型為

評卷人

得分

三、實驗題(本題共0道小題,,共0分) 試卷答案

1.C

考點:同一周期內元素性質的遞變規(guī)律與原子結構的關系;同一主族內元素性質遞變規(guī)律與原子結構的關系.

分析:A、根據(jù)Na、Mg、Al原子的核外電子排布分析;

B、根據(jù)P、S、Cl最外層電子數(shù)目=元素的最高正價(氧、氟除外);

C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小,第IIIA和第VA族反常;

D、同主族元素從上到下元素的電負性逐漸減弱.

解答:解:A、Na、Mg、Al原子的核外電子分別為11、12、13,原子最外層電子數(shù)分別為1、2、3,逐漸增多,故A正確;

B、P、S、Cl最外層電子數(shù)目分別為5、6、7,最高正化合價分別為+5、+6、+7,故B正確;

C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小,第IIIA和第VA族反常,O、N、F第一電離能依次增大,故C錯誤;

D.同主族元素從上到下元素的電負性依次減弱,則Na、K、Rb元素的電負性逐漸減小,故D正確.

2.A

考點:原子核外電子排布;原子結構示意圖.

分析:鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1,或寫為[Ne]3s1,Na+的原子核內有11個質子,核外有10個電子,Na為金屬元素,易失去電子,所以其價電子排布式為:3s1,軌道表示式用箭頭或來區(qū)別自旋方向的不同電子,每個軌道最多容納2個電子且自旋方向相反,據(jù)此分析解答.

解答:解:A.軌道表示式用一個方框或圓圈表示能級中的軌道,用箭頭或來區(qū)別自旋方向的不同電子,每個軌道最多容納2個電子,2個電子處于同一軌道內,且自旋方向相反,所以Na+的軌道表示式:,故A錯誤;

B.Na+的原子核內有11個質子,核外有10個電子,結構示意圖為,故B正確;

C.鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1,或寫為[Ne]3s1,故C正確;

D.鈉原子的簡化電子排布式為[Ne]3s1,故D正確;

3.B

知識點:位置、結構、性質的相互關系應用

答案解析:B 解析:短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、W、Y,Q是地殼中含量最高的元素,則Q是O元素; R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù),且R原子的最外層電子數(shù)等于其單質層數(shù),則R是H,T是N元素; Y原子的最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù),且Y的原子序數(shù)大于O元素,則Y電子層數(shù)為3、其最外層電子數(shù)是3,則Y是Al元素; W與R同主族且W原子序數(shù)大于O而小于Al,則W為Na。

A.原子的電子層數(shù)越大,其原子半徑越大,同一周期元素中,原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小,所以元素T、Q、W、Y的原子半徑大小為:Q

錯誤;B.元素Q與W形成的兩種常見化合物分別是Na2O、Na2O2,氧化鈉、過氧化鈉中含有相同比例的陰、陽離子,其陰陽離子之比為1:2,正確;C.Q與Y組成的常見物質是Al2O3,氧化鋁是一種兩性物質,錯誤;D.由Y和T組成的物質AlN,AlN屬于原子晶體,在電子和陶瓷工業(yè)上有廣泛應用,可以直接由單質Y和T在高溫下生成,錯誤。

思路點撥:本題考查了元素位置結構性質的相互關系及應用,明確原子結構、元素周期表結構是解本題關鍵,根據(jù)原子結構確定元素,再結合物質結構、元素周期律來分析解答,注意過氧化鈉的陰陽離子分別是過氧根離子和鈉離子,為易錯點。

4.D

考點:鍵能、鍵長、鍵角及其應用;原子核外電子排布;判斷簡單分子或離子的構型.

分析:A.根據(jù)鍵長越短,鍵能越大判斷;

B.上下兩個頂點與中心R原子形成的鍵角為180,中間為平面三角形,構成三角形的鍵角為120,頂點與平面形成的鍵角為90

C.RCl5RCl3+Cl2

D.R原子最外層有5個電子,形成5個共用電子對.

解答:解:A.鍵長越短,鍵能越大,鍵長不同,所以鍵能不同,故A正確;

B.上下兩個頂點與中心R原子形成的鍵角為180,中間為平面三角形,構成三角形的鍵角為120,頂點與平面形成的鍵角為90,所以鍵角(Cl?R?Cl)有90、120、180幾種,故B正確;

C.RCl5RCl3+Cl2,則RCl5受熱后會分解生成分子立體結構呈三角錐形的RCl3,故C正確;

D.R原子最外層有5個電子,形成5個共用電子對,所以RCl5中R的最外層電子數(shù)為10,不滿足8電子穩(wěn)定結構,故D錯誤.

5. C

考點:原子結構與元素周期律的關系;原子結構與元素的性質.

分析:短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4:3,由于為主族元素,最外層電子數(shù)不能為8,故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3,且X原子序數(shù)較大,故W處于第二周期,X處于第三周期,可推知W為C元素、X為Al元素,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4,則Z為Cl,Y為Al到Cl之間的元素,據(jù)此解答.

解答:解:短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4:3,由于為主族元素,最外層電子數(shù)不能為8,故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3,且X原子序數(shù)較大,故W處于第二周期,X處于第三周期,可推知W為C元素、X為Al元素,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4,則Z為Cl,Y為Al到Cl之間的元素.

A.若Y為Si,則電負性Si

B.同周期自左而右原子半徑減小,電子層越多原子半徑越大,故原子半徑XZW,故B錯誤;

C.Y、Cl形成的分子可以為SiCl4,為正四面體構型,故C正確;

D.WY2分子應為CS2,結構式為S=C=S,分子中鍵與鍵的數(shù)目之比是1:1,故D錯誤,

6.B

考點:微粒半徑大小的比較;元素周期律的作用;元素電離能、電負性的含義及應用;鍵能、鍵長、鍵角及其應用.

專題:元素周期律與元素周期表專題.

分析:A.電子層結構相同,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,電子層越多離子半徑越大;

B.非金屬性越強電負性越強,最高價含氧酸的酸性越強;

C.甲烷為正四面體,二氧化碳為直線型,水分子為V形,氧原子有2對孤電子對,孤電子對之間排斥大于成鍵電子對,鍵角小于甲烷,據(jù)此判斷鍵角;

D.離子電荷相同,離子半徑越大離子鍵越弱,物質越不穩(wěn)定.

解答:解:A.F?、O2?、Na+電子層結構相同,核電荷數(shù)越大離子半徑越小,故離子半徑O2?Na+,Li+電子層最少,故離子半徑最小,則微粒半徑:O2?Na+Li+,故A錯誤;

B.非金屬性C

C.甲烷為正四面體,二氧化碳為直線型,水為V形,氧原子有2對孤電子對,孤電子對之間排斥大于成鍵電子對,故其鍵角小于甲烷,即分子中的鍵角:CO2H2O,故C錯誤;

D.離子電荷相同,自上而下堿金屬離子半徑減小,故離子鍵強度LiClKClRbCl,故穩(wěn)定性LiClKClRbCl,故D錯誤,

7.D

【知識點】原子結構與元素周期率的關系

解析:X、Y、Z、W、M五種短周期元素,Y的單質晶體熔點高、硬度大,是一種重要的半導體材料,可知Y為Si;X、Y、Z、W同周期,都處于第三周期,由X+與M2-具有相同的電子層結構,可知X為Na、M為O;Z、M同主族,則Z為S;原子半徑:ZW,則W為Cl。A.鈉和氧可以形成Na2O、Na2O2,故A錯誤; C.因水分子中存在氫鍵,所以水的沸點最高,沸點為H2OH2S,故C錯誤; B.元素Y(Si)、Z(S)、W(Cl)的單質晶體分別屬于原子晶體、分子晶體、分子晶體,故B錯誤; D.元素W和M的某些單質如氯氣和臭氧可作為水處理中的消毒劑,正確。

【思路點撥】本題考查了位置結構性質關系應用,難度中等,Y是種重要的半導體材料、X+與M2-具有相同的電子層結構是推斷突破口,注意D選項中高純硅的制備原理,注意對基礎知識的積累掌握.

8.(1)①三角錐型;sp3;②3;

(2)①強;平面三角形;三角錐形;

②H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se?O?H中O的電子更向Se偏移,更易電離出H+.

考點:判斷簡單分子或離子的構型;物質的量的相關計算;同一主族內元素性質遞變規(guī)律與原子結構的關系;原子軌道雜化方式及雜化類型判斷.

分析:(1)①根據(jù)價層電子對互斥模型判斷分子空間構型,根據(jù)中心原子價層電子對數(shù)判斷雜化方式;

②根據(jù)化學方程式計算產(chǎn)生的氮氣的物質的量,再根據(jù)每個氮分子中含有2個鍵計算;

(2)①非金屬性越強的元素,其與氫元素的結合能力越強,則其氫化物在水溶液中就越難電解,酸性就越弱;根據(jù)價層電子對互斥理論確定氣態(tài)SeO3分子的立體構型、SO32?離子的立體構型;

②根據(jù)中心元素Se的化合價可以判斷電性高低,電性越高,對Se?O?H中O原子的電子吸引越強,越易電離出H+.

解答:解:(1)①在NH3分子中,有3個N?H鍵,和一對孤電子對,根據(jù)價層電子對互斥模型判斷分子空間構型為三角錐型,在N2H4中,氮原子價層電子對數(shù)為=4,所以氮原子的雜化方式為sp3雜化,故答案為:三角錐型;sp3;

②反應中有4mol N?H鍵斷裂,即有1molN2H4參加反應,根據(jù)化學方程式可知產(chǎn)生的氮氣的物質的量為1.5mol,而每個氮分子中含有2個鍵,所以形成3mol鍵,故答案為:3;

(2)①非金屬性越強的元素,其與氫元素的結合能力越強,則其氫化物在水溶液中就越難電解,酸性就越弱,非金屬性SSe,所以H2Se的酸性比H2S強;

氣態(tài)SeO3分子中Se原子價層電子對個數(shù)是3且不含孤電子對,所以其立體構型為平面三角形;

SO32?離子中S原子價層電子對個數(shù)=3+(6+2?32)=4且含有一個孤電子對,所以其立體構型為三角錐形,

故答案為:強;平面三角形;三角錐形;

②H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se?O?H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+,H2SeO4比H2SeO3酸性強,

故答案為:H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se?O?H中O的電子更向Se偏移,更易電離出H+.

9. (1)M 9 4 (2)二氧化硅 (3)共價鍵 3

(4)Mg2Si+4NH4Cl==SiH4+4NH3+2MgCl2

(5)①CC鍵和CH鍵較強,所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低,易斷裂。導致長鏈硅烷難以生成

②CH鍵的鍵能大于CO鍵,C一H鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能卻遠小于SiO鍵,所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的SiO鍵

(6)sp3 1:3 [SiO3]n2n-(或SiO32-)

知識點:物質結構與元素周期律

解析:(1)硅原子核外有14個電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2,對應能層分別別為K、L、M,其中能量最高的是最外層M層,該能層有s、p、d三個能級,s能級有1個軌道,p能級有3個軌道,d能級有5個軌道,所以共有9個原子軌道,硅原子的M能層有4個電子(3s23p2);

(2)硅元素在自然界中主要以化合態(tài)(二氧化硅和硅酸鹽)形式存在;

(3)硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體,硅原子之間以共價鍵結合.在金剛石晶體的晶胞中,每個面心有一個碳原子(晶體硅類似結構),根據(jù)均攤法知面心位置貢獻的原子為 61/ 2 =3個;

(4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4、NH3和MgCl2,方程式為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2;

(5)①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能,所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂,導致長鏈硅烷難以生成;②鍵能越大、物質就越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定,而Si-H鍵的鍵能遠小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵;

(6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO44 )為正四面體結構,所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;根據(jù)圖(b)的一個結構單元中含有1個硅、3個氧原子,化學式為SiO32-。

思路點撥:雜化方式看物質的結構比如:直線型為sp,平面型為sp2,四面體型為sp3,或運用價電子對數(shù)計算法:對于ABm型分子(A為中心原子,B為配位原子),分子的價電子對數(shù)可以通過下列計算確定:n=1/2(中心原子的價電子數(shù)+每個配位原子提供的價電子數(shù)m),配位原子中鹵素原子、氫原子提供1個價電子,氧原子和硫原子按不提供價電子計算;若為離子,須將離子電荷計算在內:n=1/2(中心原子的價電子數(shù)+每個配位原子提供的價電子數(shù)m離子電荷數(shù)),陽離子取-,陰離子取+。根據(jù)價電子對數(shù)可以有以下結論:

分子 價電子對數(shù) 幾何構型 中心原子雜化類型

BeCl2 2 直線型 sp

BF3 3 平面三角形 sp2

SiCl4 4 正四面體 sp3

價層 孤 VS 立體 SO3 3 0 sp2 平面三角 CH4 4 0 sp3 正四面體 NH4+ 4 0 sp3 正四面體 H2O 4 2 sp3 V BF3 3 0 sp2 平面三角 CO3 2- 3 0 sp2 平面三角 SO2 3 1 sp2 V NH3 4 1 sp3 三角錐

10.I.(1) ;FOC(2)CD(3)BDF

(3)根據(jù)其性質可知應為分子晶體,晶體中存在范德華力,Cr(CO)5為配位化合物,其中含有配位鍵,CO中存在碳氧極性鍵。

Ⅱ.(1) sp2;3;NO3-或CO3 2-.

(2) ①[Cu(H2O)4SO4]H2O ②正四面體.

知識點:原子軌道雜化方式及雜化類型判斷,等電子原理的應用,不同晶體的結構微粒及微粒間作用力的區(qū)別,元素周期律和元素周期表的綜合應用

答案解析:I(1) ;FOC(2)CD(3)BDF

(3)根據(jù)其性質可知應為分子晶體,晶體中存在范德華力,Cr(CO)5為配位化合物,其中含有配位鍵,CO中存在碳氧極性鍵。

Ⅱ.(1) sp2;3;NO3-或CO3 2-.

(2) ①[Cu(H2O)4SO4]H2O ②正四面體.

解析:由元素在周期表中位置,可知A為氫、B為Be、C為碳、D為氮、E為氧、F為氟、G為Al、H為Cl、I為Cr、J為Fe. (1)I為Cr,核外電子數(shù)目為24,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,價電子排布圖為;同周期自左而右元素第一電離能呈增大趨勢,N元素原子各軌道處于全滿、半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能:FOC。

(2)元素A分別與C、D、E形成最簡單的常見化合物分子甲、乙和丙分別為CH4、NH3、H2O, A.CH4、NH3、H2O的空間構型分別為正四面體形、三角錐形、V形,故A正確;B.CH4、NH3、H2O中,中心原子均價層電子對數(shù)均為4,均采取sp3的雜化方式,故B正確;C.由于排斥力:孤電子對-孤電子對孤電子對-成鍵電子對成鍵電子-成鍵電子,故鍵角甲烷氨氣水,故C錯誤;D.甲烷是非極性分子,故D錯誤。

Ⅱ.(1) BCl3中的B原子的價層電子對數(shù)是3且不含孤電子對,所以B原子屬于sp2雜化;同一周期元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于相鄰元素,根據(jù)電離能的變化規(guī)律,半充滿的N原子和全充滿的Be原子第一電離能要比同周期原子序數(shù)大的原子高,故第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O三種元素;BCl3互為等電子體的陰離子為:NO3-或CO3 2-。

(2) ①根據(jù)其結構示意圖可以得到膽礬的化學式為:[Cu(H2O)4SO4]H2O。

②SO42-中中心原子S的價層電子對數(shù)=4+(6+224)/2=4、孤電子對數(shù)為0,為正四面體結構.

思路點撥:本題是對物質結構的考查,涉及元素周期表、元素周期律、核外電子排布、分子結構與性質、配合物、氫鍵等,難度中等,側重考查學生對知識的應用,需要學生具備扎實的基礎;物質結構與性質,較為綜合,題目難度中等,本題注意把握晶格能的大小比較、空間構型的判斷方法。

以上高二寒假化學作業(yè)就介紹到這里,祝同學們學業(yè)有成。


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